TOP 研究成果 パワー半導体パッケージングのためのFe-Ni合金薄膜の無電解析出

研究成果

パワー半導体パッケージングのためのFe-Ni合金薄膜の無電解析出

  • 研究抄録
  • 表面処理
担当者
表面処理チーム
山本 貴代、永山 富男、中村 俊博
概要

次世代パワー半導体デバイスには,その内部に用いられるセラミックス等の絶縁基板上に対し,電気あるいは磁気回路形成を行うため,金属メタライズ膜が必要である。それら次世代パワー半導体デバイスは高温動作特性に優れるため,金属メタライズ膜の特性として,セラミックス等との線膨張係数(以下,CTE)マッチング(約4~9×10-6/℃)が必要である。無電解めっき法は,非導電性基板上にも形成が可能であり,さらに現行のメタライズプロセスであるMo-Mn法等に比べ,低温プロセス・・・・(以下pdf本文を参照)

原題

The Electroless Deposition of Fe-Ni Alloy Thin Films for Power Semiconductor Package

研究期間

平成28年4月~平成29年3月

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キーワード

  • Fe-Ni
  • インバー
  • パワー半導体
  • 無電解めっき
  • 熱膨張