パワー半導体パッケージングのためのFe-Ni合金薄膜の無電解析出

担当者	表面処理チーム山本　貴代、永山　富男、中村　俊博
概要	次世代パワー半導体デバイスには，その内部に用いられるセラミックス等の絶縁基板上に対し，電気あるいは磁気回路形成を行うため，金属メタライズ膜が必要である。それら次世代パワー半導体デバイスは高温動作特性に優れるため，金属メタライズ膜の特性として，セラミックス等との線膨張係数（以下，CTE）マッチング（約４～９×10-6/℃）が必要である。無電解めっき法は，非導電性基板上にも形成が可能であり，さらに現行のメタライズプロセスであるMo-Mn法等に比べ，低温プロセス・・・・（以下pdf本文を参照）
原題	The Electroless Deposition of Fe-Ni Alloy Thin Films for Power Semiconductor Package
研究期間	平成28年4月～平成29年3月

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