地方独立行政法人 京都市産業技術研究所
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研究成果

平成24年度近畿経済産業局「戦略的基盤技術高度化支援事業」
次世代高周波半導体デバイスに対応する高性能コンタクトプローブの製品開発

研究報告 表面加工
担当者表面加工チーム  中村 俊博,永山 富男,山本 貴代 共同研究機関: 京都大学大学院工学研究科,(株)喜多製作所
研究開始時期及び
終了時期
平成24年9月~平成27年3月
概要コンタクトプローブは半導体デバイスの量産プロセスにおける最終の品質検査(全数検査)で利用される消耗品で,半導体産業の必需品となっている。 近年,情報通信のブロードバンド(高速大容量)化が急速に進み,情報通信システムを支える半導体デバイスの高周波化がますます求められている。したがって,品質検査のコンタクトプローブにおいても高周波帯域への対応が要求されているが,現在は,その上限が10GHzであるため半導体の高周波帯域にコンタクトプローブが追従せず,検査結果を補正し,半導体デバイスの出荷基準の最終判定を行っている。検査結果の補正値を最終判定基準とするため,品質管理の判定基準を厳しくせざるを得えないため,歩留まりの低下が課題となっている。そこで,本研究開発では,次世代高周波半導体デバイスに対応可能な40GHzの高周波帯域まで絶対的に高周波特性評価可能となり,さらに他の電気特性が従来と同等以上の半導体最終検査用高性能コンタクトプローブを,京都市産業技術研究所の技術シーズである環境調和型Cu-Sn合金めっき技術を応用した電鋳プロセスにより製品開発することを目的とする。
成果「戦略的基盤技術高度化支援事業」1年目成果報告及び2年目事業継続。
研究種別平成24年度近畿経済産業局「戦略的基盤技術高度化支援事業」