地方独立行政法人 京都市産業技術研究所
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研究成果

パワー半導体パッケージングのためのFe-Ni合金薄膜の無電解析出

研究抄録 表面処理
担当者 表面処理チーム  山本 貴代,永山 富男,中村 俊博
研究開始時期及び
終了時期
平成28年4月~平成29年3月
要旨  次世代パワー半導体デバイスには,その内部に用いられるセラミックス等の絶縁基板上に対し,電気あるいは磁気回路形成を行うため,金属メタライズ膜が必要である。それら次世代パワー半導体デバイスは高温動作特性に優れるため,金属メタライズ膜の特性として,セラミックス等との線膨張係数(以下,CTE)マッチング(約4~9×10-6/℃)が必要である。無電解めっき法は,非導電性基板上にも形成が可能であり,さらに現行のメタライズプロセスであるMo-Mn法等に比べ,低温プロセス・・・・(以下pdf本文を参照)
まとめ (原題:The Electroless Deposition of Fe-Ni Alloy Thin Films for Power Semiconductor Package)
 本研究は,ECS Trans.75(37):p.69-77(2017)にて発表した。
研究種別 研究抄録
備考 ダウンロードできる研究報告(pdf)はサイズを抑えるために低解像度にしています。

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